STM32串口的问题(转帖)
今天在使用USART模块,遇到了一些问题并解决了,于是发贴共享。
问题描述:
在使用USART做串口通讯时,我只把接收中断打开,并设置抢占优先级为最低一个级别,而接收中断上一个优先级处理事情比较多,可能占用了2ms时间。当我使用9600波特率往下位机发送数据,速度非常快,就是一直按回车发!问题就出来,不到1分钟时间,通讯没有反应了。USART配置代码如下:
STM32串口的问题(转帖)
今天在使用USART模块,遇到了一些问题并解决了,于是发贴共享。
问题描述:
在使用USART做串口通讯时,我只把接收中断打开,并设置抢占优先级为最低一个级别,而接收中断上一个优先级处理事情比较多,可能占用了2ms时间。当我使用9600波特率往下位机发送数据,速度非常快,就是一直按回车发!问题就出来,不到1分钟时间,通讯没有反应了。USART配置代码如下:
关于MOS管记住几点就可以了
1、P和N 。这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话,这是关于MOS最重要的知识。
2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大。
3、记住:不到万不得已不要用P沟道的MOS,价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低,它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动,因为只要把栅极电压拉下来就可以了,而N沟道的MOS需要更高的驱动电压,这点很麻烦。
还有,分析电路的时候,P沟道的可看成PNP三极管,N沟道的可堪称NPN的三极管,这样分析会更直观。
L、C元件称为“惯性元件”,即电感中的电流、电容器两端的电压,都有一定的“电惯性”,不能突然变化。充放电时间,不光与L、C的容量有关,还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长?”,不讲电阻,就不能回答。
RC电路的时间常数:τ=RC
充电时,uc=U×[1-e^(-t/τ)] U是电源电压
放电时,uc=Uo×e^(-t/τ) Uo是放电前电容上电压
RL电路的时间常数:τ=L/R
LC电路接直流,i=Io[1-e^(-t/τ)] Io是最终稳定电流
LC电路的短路,i=Io×e^(-t/τ)] Io是短路前L中电流
今天完成了从EMLOG3.4.0到3.5.0,再从3.5.0到3.5.1,再从3.5.1到3.5.2...连升三级,还装了新浪围脖插件,撒花,鼓掌~鼓掌,撒花~